27 lis
Pary komplementarne mają szereg zalet w zastosowaniach do układów scalonych cyfrowych; szczególnie korzystną ich właściwością jest mały pobór mocy, wynikający stąd, że w stanie ustalonym zawsze jeden z tranzystorów jest wyłączony. Sposób wytwarzania pary komplementarnej tranzystorów MOS przedstawiono schematycznie na . 3.10B. Do płytki krzemowej typu n przez okno w maskującej warstwie tlenkowej zostają wdyfundowane [...]
27 lis
Technologia NMOS z bramką polikrzemową jest podstawową metodą wytwarzania układów scalonych MOS LSI. Sposób wytwarzania tranzystora MOS z bramką polikrzemową przedstawiono. Najpierw na całej powierzchni płytki krzemowej jest wytwarzana gruba warstwa tlenku (ok. 1 um) — w której są wytwarzane okna. Celem drugiego procesu utleniania jest wytworzenie cienkiej warstwy SiO2 (10… 100 nm), która pozostanie [...]
27 lis
Proces wytwarzania układów scalonych MOS charakteryzuje się dużą różnorodnością stosowanych wariantów technologicznych. Podstawowe znaczenie mają trzy warianty, znane pod skrótowymi nazwami jako technologie: — PMOS, — NMOS, — CMOS. Przez pojęcie technologia PMOS rozumie się najstarszą technologię wytwarzania układów scalonych MOS z tranzystorami z kanałami typu p i z bramkami aluminiowymi (w nielicznych przypadkach spotyka [...]
27 lis
Tranzystor MOS może spełniać wszystkie funkcje elementarne wymagane w układach cyfrowych. Pojemności występujące w tranzystorze MOS można wykorzystać jako kondensatory o niewielkich wartościach, a rezystancja dren-źródło może posłużyć do użycia struktury tranzystorowej w roli rezystora, przy czym jest to rezystor o znacznie mniejszych rozmiarach niż w przypadku rezystora dyfuzyjnego. Istnieje więc możliwość — w pełni [...]
