27 lis
Technologia NMOS z bramką polikrzemową jest podstawową metodą wytwarzania układów scalonych MOS LSI. Sposób wytwarzania tranzystora MOS z bramką polikrzemową przedstawiono. Najpierw na całej powierzchni płytki krzemowej jest wytwarzana gruba warstwa tlenku (ok. 1 um) — w której są wytwarzane okna. Celem drugiego procesu utleniania jest wytworzenie cienkiej warstwy SiO2 (10… 100 nm), która pozostanie [...]
27 lis
Układ scalony, wytworzony technologią PMOS, składa się wyłącznie z tranzystorów MOS z kanałem typu p, wzbogacanych lub wzbogacanych i zubożanych, przy czym bramki tych tranzystorów są najczęściej aluminiowe. Cykl podstawowych operacji technologicznych można prześledzić według na którym pokazano ważniejsze fazy procesu wytwarzania tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym typu p. Na czystej powierzchni płytki krzemowej typu [...]
27 lis
Odpowiedź na to pytanie jest zarazem łatwa i trudna. Łatwa, gdyż nie ma różnic zasadniczych w technologii wytwarzania układów unipolarnych i bipolarnych. W obu przypadkach stosuje się technologię planarną z charakterstycznym podziałem procesu wytwarzania układu scalonego na etapy wyznaczane kolejnymi procesami fotolitografii, każdy zaś proces fotolitografii stanowi powtarzalną sekwencję operacji maskowania, trawienia lokalnych okien w [...]
