Elektonika dla każdego zawodnika

Zielona Góra to bardzo atrakcyjne miasto nie tylko ze względu na swoje piękne położenie ale również ze względu na warunki życia jakie tam panują. Wbrew pozorom jest to bardzo przyszłościowe miasto, w którym każdy człowiek będzie mógł godziwie żyć. Wielką szansą na te „godziwe życie” jest zakładanie własnych działalności. Niemniej jednak takie działalności posiadają swoje [...]

Pary komplementarne mają szereg zalet w za­stosowaniach do układów scalonych cyfrowych; szczególnie korzyst­ną ich właściwością jest mały pobór mocy, wynikający stąd, że w stanie ustalonym zawsze jeden z tranzystorów jest wyłączony. Sposób wytwa­rzania pary komplementarnej tranzystorów MOS przedstawiono sche­matycznie na . 3.10B. Do płytki krzemowej typu n przez okno w maskującej warstwie tlenkowej zostają wdyfundowane [...]

Technologia NMOS z bramką polikrzemową jest podstawową metodą wytwarzania układów scalonych MOS LSI. Sposób wytwarzania tran­zystora MOS z bramką polikrzemową przedstawiono. Najpierw na całej powierzchni płytki krzemowej jest wytwarzana gruba warstwa tlenku (ok. 1 um) — w której są wytwarzane okna. Celem drugiego procesu utleniania jest wytworzenie cienkiej warstwy SiO2 (10… 100 nm), która pozostanie [...]

Układ scalony, wytworzony technologią PMOS, składa się wyłącznie z tranzystorów MOS z kanałem typu p, wzbogacanych lub wzbogacanych i zubożanych, przy czym bramki tych tranzystorów są najczęściej aluminiowe. Cykl podstawowych operacji technologicznych można prześledzić według  na którym pokazano ważniejsze fazy procesu wytwarzania tranzystora MOS z kanałem wzbogacanym typu p. Na czystej powierzchni płytki krzemowej typu [...]